🚋 🔝 🧙🏼 एएमडी का पहला उच्च बैंडविड्थ मेमोरी कार्ड कुछ ही महीनों में दिखाई देता है ⏺️ 🍍 👩🏼

एक नए प्रकार की मेमोरी जिसे आगे के प्रदर्शन लाभ प्रदान करने के लिए डिज़ाइन किया गया है

एएमडी के अनुसार, कंपनी ने सालों तक ग्राफिक्स एक्सेलेरेटर के लिए नए प्रकार की मेमोरी को परिभाषित किया है, और बाकी उद्योग गति पकड़ रहे हैं। इसने AMD उत्पादों को प्रतिस्पर्धात्मक लाभ दिया, उदाहरण के लिए, उस समय, GDDR5 के रूप में नवाचार ने प्रदर्शन में नेतृत्व के साथ Radeon HD 4870 प्रदान किया। नतीजतन, GDDR5 मानक बन गया, लेकिन इसकी पहली उपस्थिति के सात साल बीत चुके हैं, और कोई मूलभूत रूप से नए बदलाव नहीं हुए हैं। अगली सफलता उच्च बैंडविड्थ मेमोरी मानक प्रदान करना है। इसके आधार पर पहला वीडियो त्वरक कुछ महीनों में सामने आ सकता है।

एचबीएम पर काम सात साल पहले शुरू हुआ, यानी लगभग उसी समय जब जीडीआर 5 पूरी तरह से तैयार था। उन्हीं इंजीनियरों ने प्रौद्योगिकी पर काम किया, एएमडी कर्मचारी जो मैक्री कहते हैं। फिर भी, वे स्मृति पर व्यक्तिगत कंप्यूटरों की कुल कंप्यूटिंग शक्ति की बढ़ती निर्भरता के बारे में चिंता करने लगे, और उन्हें संदेह होने लगा कि बिजली की खपत धीरे-धीरे एक बाधा बन जाएगी।

अब सब कुछ GDDR5 से बाहर निचोड़ा हुआ है। अतिरिक्त बैंडविड्थ प्राप्त करने के लिए, आपको अतिरिक्त चिप्स और चैनल जोड़ना होगा जो बोर्ड स्थान और ऊर्जा को दूर खाते हैं। हर चीज की अपनी सीमा होती है, और नवीनतम पीढ़ी के वीडियो कार्ड उन्हें 512-बिट इंटरफेस के साथ प्रदर्शित करते हैं। GDDR5 का सामान्य त्वरण काम करना बंद कर देता है - इस साल सैमसंग ने 8 Gbit / s पर चिप्स का उत्पादन शुरू किया, जो कि पिछले अधिकतम (7 Gbit / s) पर केवल 14% का सुधार है। एएमडी ने पहले से ही अधिक त्वरण के साथ समस्याओं का अनुभव करना शुरू कर दिया है, क्योंकि आवृत्ति बढ़ने का मतलब बिजली की खपत में तेज वृद्धि है।

इस समस्या का एक समाधान यह है कि निर्माता पिछले कुछ दशकों से लागत और ऊर्जा को कम करने और उत्पादकता बढ़ाने के लिए कर रहे हैं: एकीकरण। उदाहरण के लिए, केंद्रीय प्रोसेसर में बहुत सारे तत्व शामिल थे, गणितीय सहसंसाधकों से लेकर स्मृति नियंत्रक तक, और प्रत्येक मामले में प्लसस थे। मैक्ररी बताते हैं कि मेमोरी और जीपीयू को मिलाना इतनी सरल प्रक्रिया नहीं है। उनके उत्पादन की प्रक्रियाएं इतनी भिन्न हैं कि एक चिप पर उनका संयोजन बहुत महंगा हो गया है। इसका समाधान मेमोरी को GPU के करीब रखना है, लेकिन एक अलग चिप पर। एचबीएम में 3 डी कॉन्फ़िगरेशन (या, अधिक सटीक, 2.5 डी) होने के लिए कई परतें शामिल हैं।

एचबीएम में तीन मुख्य भाग होते हैं: यह मुख्य चिप (सीपीयू, जीपीयू या एक चिप पर सिस्टम), एक या एक से अधिक मेमोरी कॉलम और सिलिकॉन परत है, जिस पर वे स्थित हैं - इंटरपॉसर (मध्यस्थ)। इंटरपोज़र एक नियमित सिलिकॉन चिप है, जो वर्तमान में पुराने 65 एनएम प्रक्रिया प्रौद्योगिकी का उपयोग करके निर्मित है। मैक्री ने बताया कि इंटरपोज़र की भूमिका पूरी तरह से निष्क्रिय है, इसमें कोई सक्रिय तत्व नहीं है, क्योंकि इसका एकमात्र कार्य विद्युत को मेमोरी और प्रोसेसर के बीच की पटरियों को जोड़ना है। चूंकि यह एक सिलिकॉन चिप है, इसलिए यह एक नियमित बोर्ड की तुलना में बहुत अधिक तत्वों को जोड़ सकता है। यह इंटरपोज़र है जो उच्च बैंडविड्थ मेमोरी का प्रमुख विवरण है। इंटरपोज़र के नीचे अन्य पारंपरिक तत्व हैं, लेकिन उनका कार्य पीसीआई एक्सप्रेस बस, आउटपुट से मॉनिटर और अन्य इंटरफेस के साथ आदान-प्रदान करना है।वीडियो प्रोसेसर और मेमोरी के बीच सभी संचार एक इंटरपोज़र का उपयोग करके होता है।

इंटरपोजर बहुत रुचि का है, लेकिन एक और महत्वपूर्ण नई सुविधा स्तरित मेमोरी है। वास्तविक मेमोरी की चार लेयर्स लॉजिकल कंट्रोल लेयर पर स्टैक्ड होती हैं। पांच परतें एक सिलिकॉन सब्सट्रेट (टीएसवी) में इंटरकनेक्ट का उपयोग करके एक दूसरे से जुड़ी हुई हैं। मैक्र्री के अनुसार, ये परत बहुत पतली हैं, मोटाई लगभग 100 माइक्रोमीटर तक पहुंचती है। यदि आप एक को अपने हाथ में लेते हैं, तो यह कागज की तरह झुक जाएगा और लहर जाएगा।

और इनमें से प्रत्येक भंडारण परतों में एक नए प्रकार की मेमोरी होती है, जो विशेष रूप से एचबीएम में काम करने की स्थिति के लिए बनाई गई है। मेमोरी अपेक्षाकृत कम वोल्टेज का उपयोग करती है - 1.3 वोल्ट (GDDR5 में 1.5), कम परिचालन आवृत्तियों (1750 के बजाय 500 मेगाहर्ट्ज) और कम बैंडविड्थ (7 के बजाय 1 जीबी / एस) है। यह सब एक बहुत विस्तृत इंटरफ़ेस द्वारा ऑफसेट किया गया है। पहले एचबीएम कार्यान्वयन में, प्रत्येक मेमोरी परत दो 128-बिट चैनलों पर संचार करती है, यानी प्रत्येक स्टैक में 1024-बिट बस होती है। परिणाम लगभग 128 जीबी / एस के बैंडविड्थ के साथ 4096-बिट मेमोरी का एक विशाल है।

उच्च बैंडविड्थ मेमोरी खरोंच से प्रकट नहीं हुई। 2011 में, एएमडी ने अगली पीढ़ी के मेमोरी मानक को विकसित करने और लागू करने के लिए हाइनेक्स मेमोरी निर्माता (अब एसके हाइनिक्स) के साथ साझेदारी करने की योजना की घोषणा की। एएमडी ने कनेक्शन, एक इंटरपोजर और एक नई प्रकार की मेमोरी बनाई है। Hynix मेमोरी का उत्पादन करता है, और इंटरप्रोज़र के पहले नमूने यूनाइटेड माइक्रोइलेक्ट्रॉनिक कॉर्पोरेशन की सुविधाओं पर बनाए गए थे। नए मानक को JEDEC उद्योग नियामक स्मृति द्वारा पहले ही अनुमोदित किया जा चुका है। इसका मतलब है कि उच्च बैंडविड्थ मेमोरी को विभिन्न कंपनियों द्वारा व्यापक रूप से समर्थन किया जा सकता है। कुछ देरी के साथ, एचबीएम भी एनवीडिया की योजनाओं में गिर गया।

यहां तक कि उच्च बैंडविड्थ मेमोरी की पहली पीढ़ी के कार्यान्वयन में GDDR5 पर कई फायदे हैं, और यह केवल पीक बैंडविड्थ नहीं है। मैक्र्री के अनुसार, GDDR5 आपको 10.66 GB / s प्रति वाट ट्रांसफर करने की अनुमति देता है, और HBM के साथ यह आंकड़ा 35 है। मेमोरी की ऊर्जा दक्षता एक महत्वपूर्ण संकेतक है, क्योंकि R9 290X विशेष रूप से मेमोरी के लिए 15-20% ऊर्जा खर्च करता है। एचबीएम पर स्विच करने से यह संकेतक दो गुना से कम हो जाएगा।

मेमोरी न केवल अधिक ऊर्जा कुशल है, यह कॉम्पैक्ट है। एचबीएम में एक गीगाबाइट के लिए 35 मिमी² और बोर्ड क्षेत्र के 672 मिमी board आकार के चार GDDR5 चिप्स की आवश्यकता होती है। इसलिए, एचबीएम अधिक कॉम्पैक्ट उपकरणों के निर्माण की अनुमति देगा। इंटरपोज़र को बहुत कुशलता से आयोजित किया जाता है, जो समग्र क्रिस्टल आकार को कम करता है। ग्राफिक्स कार्ड के भीतर डेटा के प्रवाह में सुधार करना और भी संभव है। कुल मिलाकर, लगभग दो गुना कम बोर्ड क्षेत्र की आवश्यकता होती है, यह दो वीडियो प्रोसेसर के साथ कार्ड के निर्माण को सरल करेगा। GDDR के बाद के युग की स्मृति न केवल वीडियो त्वरक, बल्कि APUs भी बदलेगी। अधिक चैनल कम यादृच्छिक अभिगम समय का वादा करते हैं। एक सरलीकृत क्लॉकिंग सिस्टम और अन्य छोटे बदलावों का मतलब प्रतिक्रिया समय में संभावित कमी है। मैक्री को उम्मीद है कि एचबीएम कंप्यूटर बाजार के कई क्षेत्रों में प्रवेश करेगा।

पहली पीढ़ी के एचबीएम कार्यान्वयन में एक महत्वपूर्ण माइनस है: कुल मेमोरी का आकार केवल 4 जीबी तक पहुंच सकता है। यह थोड़ा सा है, अगर आपको याद है कि टाइटन एक्स में तीन गुना ज्यादा, 12 जीबी मेमोरी है, और वर्तमान पीढ़ी के आर 9 290 एक्स में 4 जीबी है। 4K रिज़ॉल्यूशन में भी फ्लैगशिप लिमिट आसान है। लेकिन मैक्री का दावा है कि एएमडी किसी तरह इस सीमा का सामना करेगा। उनकी राय में, वर्तमान पीढ़ी के वीडियो कार्ड स्मृति को बहुत कुशलता से नहीं संभालते हैं। मेमोरी वॉल्यूम में तेजी से वृद्धि हुई है, इसलिए एएमडी में उस क्षण तक वे अपने उपयोग के बारे में ज्यादा नहीं सोचते थे।

एचबीएम में अन्य "बचपन" समस्याएं भी हैं। उदाहरण के लिए, वीडियो प्रोसेसर चिप्स का आकार बढ़ रहा है, और इंटरपोज़र भी बड़ा होना चाहिए, और इसके उत्पादन की लागत निषेधात्मक रूप से उच्च मूल्यों तक पहुंच सकती है। एचबीएम के छोटे आकार का मतलब होगा शीतलन की समस्याएं जो पहले से ही आर 9 290 एक्स के कुछ शुरुआती उदाहरणों में थीं। मैक्रि के अनुसार, हालांकि चित्रण अन्यथा सुझाव देते हैं, मेमोरी स्टैक वीडियो प्रोसेसर के समान ऊंचाई के बारे में हैं, इसलिए वे गर्मी लंपटता के कुल क्षेत्र में वृद्धि करते हैं। अंत में, नई तकनीक को भुगतान करना होगा, और इसके लिए नए समाधानों को बड़े संस्करणों में उत्पादित और बेचा जाना चाहिए। लीक के अनुसार, तीन सौवीं श्रृंखला 18 जून को पेश की जाएगी, और आर 9 390 को 24 जून को दिखाया जाएगा। संभव तरल शीतलन पर फोटो संकेत में लीक।

मैक्री ने कहा कि हाई बैंडमेड मेमोरी का दूसरा संस्करण पहले से ही विकसित किया जा रहा है। पहली पीढ़ी की तुलना में इसका थ्रूपुट दो गुना अधिक है, और मेमोरी लेयर्स की संख्या आठ हो जाएगी। नई प्रक्रिया प्रौद्योगिकी के उपयोग के माध्यम से, मात्रा चार गुना बढ़ जाएगी। मैक्री को यकीन है कि किसी दिन मेमोरी लेयर की संख्या 16 हो सकती है

। पहली बार, एचबीएम अगली पीढ़ी के एएमडी ग्राफिक्स कार्ड में दिखाई देगा। उनकी भविष्य की विशेषताओं के बारे में विभिन्न धारणाएं कुछ संभावित अनुमान देती हैं।

	AMD Radeon R9 290X	एनवीडिया GeForce GTX टाइटन एक्स	भविष्य के प्रमुख - मीडिया अटकलें
याद	4GB	12 जीबी	4GB
मेमोरी चिप बैंडविड्थ	5 जी.पी.एस.	7 जी.पी.एस.	1 जीबीपीएस
चिप्स की संख्या	सोलह	24	4
प्रति चिप के माध्यम से	20 जीबी / एस	14 जीबी / एस	128 जीबी / एस
मेमोरी बस	512 बिट	384 बिट	4096 बिट
कुल थ्रूपुट	320 जीबी / एस	336 जीबी / एस	512 जीबी / एस
अनुमानित मेमोरी खपत	30 वाट	31.5 वाट	14.6 वाट

टेक रिपोर्ट , एक्सट्रीमटेक और आनंदटेक पर आधारित ।

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